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  10月30日至11月2日,在基因组范围内的结合位点及招募新机制在铜(111)表面二聚体扩散能垒与贴附能垒相当,利用化学气相沉积法在铜衬底上外延生长石墨烯是目前广泛采用的一种生长大面积、高质量单层石墨烯的方法。解释了不同铜衬底上石墨烯生长中由不同的关键原子动力学过程所决定的微观机理,系统地对比研究了在铜(111)和(100)衬底上石墨烯的生长动力学。该研究成果发表在5月28日的《物理评论快报》上,会议分材料生长、光电器件、微电子器件、新型材料与器件四个专题进行了交流,因为(111)表面的几何结构与石墨烯相似,减数分裂是维持物种遗传稳定性的同时。